产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
EPC1014 PDF |
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应用说明 |
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
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产品培训模块 |
eGaN™ Basics
eGaN™ Power Transistors Characteristics
Drivng eGaN™ Power Transistors
eGaN FETs for DC-DC Conversion
eGaN FET Reliability
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产品变化通告 |
EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011
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RoHS指令信息 |
Lead Free/RoHS Statement
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标准包装 |
1,000 |
系列 |
eGaN® |
FET 型 |
GaNFET N 通道,氮化镓
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
40V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
10A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
16 毫欧 @ 5A,5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
2.5V @ 2mA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
3nC @ 5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
280pF @ 20V
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功率 - 最大 |
-
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
5-LGA
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供应商设备封装 |
5-LGA(1.7x1.1)
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包装 |
带卷 (TR)
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产品目录页面 |
1599 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
917-1008-2
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